Sistemas de tubulação termoplástica em fábricas de wafer de carboneto de silício

Uma das características distintivas do processamento de wafer de SiC são as temperaturas de processo significativamente mais altas exigidas em comparação com os wafers de silício. As fábricas de processamento de wafer de SiC podem gerar 1,5 vez mais calor em comparação com as fábricas de wafer de silício de tamanho semelhante. Além de aumentar o tamanho das linhas de água de resfriamento do processo, a saída térmica exige estratégias robustas de gerenciamento térmico para manter as condições operacionais ideais e a confiabilidade do equipamento.

As temperaturas mais altas do processo associadas à fabricação de pastilhas de SiC exigem uma infraestrutura especializada dentro das fábricas.
Uma das considerações mais importantes é o material usado nos sistemas de tubulação para lidar com os fluxos de resíduos.
Diferentemente das fábricas de pastilhas de silício, em que materiais padrão como o cloreto de polivinila (PVC) podem ser suficientes para muitas linhas de resíduos, as fábricas de SiC devem utilizar materiais capazes de suportar temperaturas mais altas e exposição a produtos químicos.
Deve-se considerar cuidadosamente a adoção de termoplásticos avançados, como o fluoreto de polivinilideno (PVDF) ou o clorotrifluoroetileno etileno (ECTFE).
Ambos oferecem resistência superior a altas temperaturas e produtos químicos corrosivos.
Esses materiais garantem a integridade e a longevidade da infraestrutura de tubulação sob as condições exigentes desses processos.

Além disso, as altas temperaturas de processo envolvidas no processamento de pastilhas de SiC exigem uma abordagem cuidadosa para lidar com as características de expansão térmica dos materiais termoplásticos.
A expansão e a contração significativas dos termoplásticos sob variações de temperatura destacam a importância de incorporar loops de expansão no projeto da tubulação.
Os loops de expansão funcionam como elementos flexíveis dentro do sistema de tubulação, acomodando a expansão térmica sem impor estresse indevido aos tubos e às conexões.
Ao integrar os loops de expansão estrategicamente no layout da tubulação, os proprietários de fábricas de semicondutores podem reduzir os riscos de danos aos tubos, vazamentos e falhas no sistema causados pela expansão térmica, garantindo o desempenho e a durabilidade da infraestrutura a longo prazo.

O processamento de wafer de SiC representa uma fronteira crítica na tecnologia de semicondutores.
Os desafios exclusivos impostos pelas temperaturas mais altas do processo exigem soluções de infraestrutura especializadas, especialmente em sistemas de tubulação em que materiais como PVDF e ECTFE são excelentes.
A equipe de engenharia da Asahi/America está posicionada para enfrentar esses desafios e trabalhar com engenheiros de instalações e projetos para otimizar o desempenho, a confiabilidade e a longevidade do sistema.

AVISO DO EDITOR: Observe que as informações contidas neste artigo são apenas para fins educacionais e não substituem nenhuma informação técnica ou especificação de produto da Asahi/America.
Consulte o departamento técnico da Asahi/America pelo telefone 1-800-343-3618 ou pelo site pipe@asahi-america.com sobre todas as aplicações de produtos no que diz respeito à seleção de materiais com base na pressão, temperatura, fatores ambientais, produtos químicos, mídia, aplicação e muito mais.